На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ ПОДЗАТВОРНЫХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 2248067 | ![](Images/empty.gif) |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/66 G01R031/26 | Аналоги изобретения: | SU 601639 A, 22.05.1978. US 6014034 A, 11.01.2000. US 6049213 A, 11.04.2000. |
Имя заявителя: | ОАО "НИИ Молекулярной Электроники и завод МИКРОН" (RU) | Изобретатели: | Еременко А.Н. (RU) Горнев Е.С. (RU) Дудников А.С. (RU) Зайцев Н.А. (RU) Плотников Ю.И. (RU) Михалин В.Д. (RU) | Патентообладатели: | ОАО "НИИ Молекулярной Электроники и завод МИКРОН" (RU) |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Использование: для определения параметров слоев подзатворного диэлектрика. Сущность изобретения: в способе контроля качества тонких слоев подзатворного диэлектрика, позволяющем определять совокупность электрофизических параметров большого количества МДП-структур по всей пластине за один ее обход, измерения предпробойной ВАХ МДП-структуры, напряжения пробоя подзатворного диэлектрика и заряда, инжектированного в подзатворный диэлектрик до его необратимого пробоя, определяют в едином процессе измере
|