|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ |  |
Номер публикации патента: 2244984 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/324 | | Аналоги изобретения: | RU 2164719 С1, 27.03.2001. DE 19753494 A1, 01.10.1998. US 6323109 B1, 27.11.2001. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников Объединенного Института физики полупроводников СО РАН (RU),Попов Владимир Павлович (RU) | | Изобретатели: | Попов В.П. (RU) | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников Объединенного Института физики полупроводников СО РАН (RU)
Попов Владимир Павлович (RU) |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой технике для интеграции электронных материалов в полупроводниковой, электронной, сверхпроводниковой, оптической и электротехнической технологиях. Сущность изобретения: в способе изготовления гетероструктуры в рабочую пластину осуществляют введение водорода, проводят химическую обработку рабочей пластины, рабочую пластину и подложку соединяют, сращивают и расслаивают рабочую пластину с переносом пленки в гетероструктуру.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента