|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛЕНОК |  |
Номер публикации патента: 2240630 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/76 | | Аналоги изобретения: | RU 2164719 C1, 27.03.2001. DE 19753494 A1, 01.10.1998. US 5256581 А, 26.10.1993. US 6306730 В2, 23.10.2001. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников СО РАН (RU) | | Изобретатели: | Камаев Г.Н. (RU)
Болотов В.В. (RU)
Ефремов М.Д. (RU) | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников СО РАН (RU) |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой технологии для создания полупроводниковых структур, в частности, структур кремний-на-изоляторе (КНИ), кремний-на-кремнии (КНК) для производства сверхбольших интегральных схем (СБИС) и других устройств микро- и наноэлектроники. Сущность изобретения: в способе изготовления кремниевых пленок осуществляют введение водорода в рабочую пластину кремния, создавая гидрогенизированный слой, затем одновременно с операцией сращивания подложечной пластины с рабочей пластиной
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента