|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПАМЯТИ (ВАРИАНТЫ) И УСТРОЙСТВО ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПАМЯТИ |  |
Номер публикации патента: 2234763 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/8242 H01L021/768 | | Аналоги изобретения: | US 5126280, 30.06.1992. US 5196364, 23.03.1993. US 5330614, 19.07.1994. JP 04-053160, 20.02.1992. JP 06-295994, 20.02.1992. JP 06-151751, 31.05.1994. JP 05-063153, 12.03.1993. JP 04-206866, 28.07.1992. JP 04-053160, 20.02.1992. JP 01-262658, 19.10.1989. JP 09-139478, 27.05.1997. JP 05-160362, 25.06.1993. US 5445999, 29.08.1995. EP 539233, 28.04.1993. SU 1813303, 30.04.1995. |
| Имя заявителя: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR) | | Изобретатели: | ПАРК Юнг-ву (KR)
НОХ Дзун-йонг (KR)
КОО Бон-юнг (KR)
КАНГ Чанг-дзин (KR)
ДЗУНГ Чул (KR)
НАМ Сеок-ву (KR) | | Патентообладатели: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО.
ЛТД. (KR) |
Реферат | |
Изобретение относится к способу изготовления устройства полупроводниковой памяти, которое является стойким к окислению разрядных шин. Предотвращающий окисление слой, такой как слой нитрида, формируют на разрядных шинах или в контактных отверстиях, чтобы исключить диффузию кислорода в структуру разрядной шины.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента