|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АВТОМАСШТАБИРУЕМОЙ БИКМОП СТРУКТУРЫ |  |
Номер публикации патента: 2234165 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/8248 | | Аналоги изобретения: | RU 2141148 C1, 10.11.1999. RU 2106719 C1, 10.03.1998. RU 2106039 C1, 27.02.1998. US 6180442 B1, 30.01.2001. US 5888861 A, 30.03.1999. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) | | Изобретатели: | Долгов А.Н. (RU)
Кравченко Д.Г. (RU)
Еременко А.Н. (RU)
Клычников М.И. (RU)
Лукасевич М.И. (RU)
Манжа Н.М. (RU)
Романов И.М. (RU) | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, технология изготовления БиКМОП структур, включающих биполярные и полевые транзисторы с субмикронными размерами элементов. Сущность изобретения: в кремниевой подложке создают карманы первого и второго типа проводимости, первый слой диэлектрика, формируют тонкий окисел кремния, осаждают слой электродного поликристаллического кремния, легируют его в месте расположения биполярного транзистора примесью первого типа проводимости для создания сильнолегированных областей
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента