|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АВТОМАСШТАБИРУЕМОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 2234162 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/331 | | Аналоги изобретения: | RU 2110868 С1, 10.05.1998. RU 2141148 С1, 10.11.1999. SU 1135378 А1, 10.04.1996. US 4157269 А, 05.06.1979. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) | | Изобретатели: | Долгов А.Н. (RU)
Кравченко Д.Г. (RU)
Клычников М.И. (RU)
Лукасевич М.И. (RU)
Манжа Н.М. (RU)
Морозов В.Ф. (RU)
Еременко А.Н. (RU) | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике, в технологии изготовления интегральных схем высокой степени интеграции на биполярных транзисторах. Сущность изобретения: способ изготовления биполярного транзистора включает нанесение на подложку кремния первого слоя диэлектрика, формирование в нем травлением методом РИТ окон под базу, осаждение первого слоя поликристаллического кремния, легирование поликристаллического кремния примесью первого типа проводимости, осаждение второго слоя диэлектрика с толщиной не
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента