|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОМАСШТАБИРУЕМОГО ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА СО СТРУКТУРОЙ СУПЕРСАМОСОВМЕЩЕННОГО БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 2230392 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/335 | | Аналоги изобретения: | RU 2110868 С1, 10.05.1998. RU 2141148 С1, 10.11.1999. US 4157269 А, 05.06.1979. US 5196357 А, 23.03.1993. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) | | Изобретатели: | Горнев Е.С. (RU)
Лукасевич М.И. (RU)
Щербаков Н.А. (RU)
Манжа Н.М. (RU)
Клычников М.И. (RU) | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" (RU) |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, технология изготовления полевых транзисторов со структурой металл-окисел-полупроводник. Сущность изобретения: в способе изготовления транзистора создают первый диэлектрик, вытравливают окна в первом диэлектрике вертикальным травлением раздельно для области стока и области истока с перекрытием окнами “клюва” первого диэлектрика в сторону диэлектрика, получаемого локальным окислением, и глубиной травления, обеспечивающей планарность диэлектрика в окнах с поверхность
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента