|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ - НА - ИЗОЛЯТОРЕ |  |
Номер публикации патента: 2217842 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/324 | | Аналоги изобретения: | RU 2164719 С1, 27.03.2001. DE 19753494 А1, 01.10.1998. US 2001/0016401 А1, 23.08.2001. ЕР 0917193 А1, 19.05.1999. ЕР 0977255 А2, 02.02.2000. ЕР 1045448 А1, 18.10.2000. ЕР 1158581 А1, 28.11.2001. ЕР 1170801 А1, 09.01.2002. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников - Объединенного института физики полупроводников СО РАН,Попов Владимир Павлович | | Изобретатели: | Попов В.П.
Тысченко И.Е. | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников - Объединенного института физики полупроводников СО РАН
Попов Владимир Павлович |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой технологии, в области создания современных материалов для микроэлектроники, в частности структур кремний-на-изоляторе для производства современных СБИС и других изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе заключается в том, что в пластину кремния осуществляют имплантацию водорода, проводят химическую обработку пластины кремния и подложки, пластину кремния и подложку соединяют, сращивают и расслаивают по импл
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента