|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО |  |
Номер публикации патента: 2216819 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/108 H01L021/8242 | | Аналоги изобретения: | US 4669062 А, 26.05.1987. WO 94/15340 A1, 07.07.1994. US 4630089 А, 16.12.1989. US 5604357 A, 18.02.1997. US 5194749 А, 16.03.1993. WO 86/06540 А1, 06.11.1986. RU 2018979 С1, 30.08.1994. |
| Имя заявителя: | ХИТАЧИ, ЛТД. (JP) | | Изобретатели: | СУНАМИ Хидео (JP)
ИТО Кийоо (JP)
ШИМАДА Тошиказу (JP)
НАКАЗАТО Казуо (JP)
МИЗУТА Хироши (JP) | | Патентообладатели: | ХИТАЧИ
ЛТД. (JP) |
Реферат | |
Использование: в устройствах записи и хранения информации. Сущность изобретения: полупроводниковое запоминающее устройство (ЗУ) содержит узел ЗУ, образованный затвором транзистора, сформированного на полупроводниковой подложке, и многослойную структуру, которая состоит из полупроводниковых слоев и запирающих слоев в качестве изоляторов и которая сформирована на узле ЗУ, при этом запись информации в узел ЗУ или ее стирание из узла ЗУ осуществляются за счет инжекции зарядов в узел ЗУ через многосло
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента