|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВЫСОТЫ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА ДИОДА С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ |  |
Номер публикации патента: 2216750 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01R031/26 H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | БОЖКОВ В.Г. и др. Исследование прямых вольт-амперных характеристик диодов с барьером Шоттки Ti-n-GaAs при различных температурах и концентрациях носителей тока. В: Электронная техника, сер.2, Полупроводниковые приборы, 1978, № 4, с.4. RU 2101720 С1, 10.01.1998. RU 2059324 С1, 27.04.1996. RU 2037911 С1, 19.05.1995. PL 191236 А, 30.01.1978. |
| Имя заявителя: | Дульбеев Валерий Аюшевич | | Патентообладатели: | Дульбеев Валерий Аюшевич |
Реферат | |
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к определению высоты потенциального барьера диода с барьером Шоттки. Технический результат изобретения заключается в определении высоты потенциального барьера диода с барьером Шоттки по вольт-амперным характеристикам, измеренным при температурах Т1 и Т2 для одной и той же величины тока.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента