|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ГЕТТЕРИРУЮЩЕЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН |  |
Номер публикации патента: 2215344 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/322 | | Аналоги изобретения: | RU 2137253 C1, 10.09.1999. RU 2072585 C1, 27.01.1997. ЕР 0534497 А, 31.03.1993. US 4971920 A, 20.11.1990. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е.Седакова,Министерство Российской Федерации по атомной энергии | | Изобретатели: | Смолин В.К.
Скупов В.Д. | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е.Седакова
Министерство Российской Федерации по атомной энергии |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой технике, в способах очистки пластин от фоновых примесей и протяженных структурных дефектов при производстве пластин и структур для изготовления интегральных схем и дискретных полупроводниковых приборов. Технический результат: повышение однородности распределения электрофизических характеристик полупроводниковых пластин за счет снижения концентрации структурных дефектов.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента