|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЭЛЕМЕНТА С ЧАСТИЧНО ПРОХОДЯЩЕЙ В ПОДЛОЖКЕ РАЗВОДКОЙ, А ТАКЖЕ ИЗГОТОВЛЕННЫЙ ЭТИМ СПОСОБОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ |  |
Номер публикации патента: 2214649 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/8238 H01L027/092 | | Аналоги изобретения: | ЕР 764985 А, 26.03.1997. RU 2100874, 27.12.1997. RU 2051443 C1, 27.12.1995. ЕР 585601 А, 09.03.1994. US 4583011 А, 15.04.1986. RU 2106719 C1, 10.03.1998. |
| Имя заявителя: | ИНФИНЕОН ТЕКНОЛОДЖИЗ АГ (DE) | | Изобретатели: | БРАУН Хельга (DE)
КАКОШКЕ Рональд (DE)
ШТОКАН Регина (DE)
ПЛАЗА Гунтер (AT)
КУКС Андреас (DE) | | Патентообладатели: | ИНФИНЕОН ТЕКНОЛОДЖИЗ АГ (DE) |
Реферат | |
Изобретение относится к области изготовления защищенных интегральных схем, а именно к способу изготовления полупроводникового элемента с проходящей, по меньшей мере, частично в подложке разводкой, а также самому полупроводниковому элементу. Согласно этапам способа изготовления предусмотрено выполнение, по меньшей мере, одного проходящего в полупроводниковой подложке и, по меньшей мере, одного проходящего на полупроводниковой подложке проводящего соединения.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента