На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ПЛОСКИХ ЗОН ПОЛУПРОВОДНИКА В МЕТАЛЛ - ДИЭЛЕКТРИК - ПОЛУПРОВОДНИК - СТРУКТУРАХ | |
Номер публикации патента: 2212078 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/66 | Аналоги изобретения: | Бородзюля В.Ф. и др. Методы электрического тестирования заряда в диэлектрике и на поверхностных состояниях в МДП-структурах. Тезисы докладов Российской научно-технической конференции по физике диэлектриков с международным участием, "Диэлектрики-93". С.-Пб., 22-24 июня 1993, ч.2, с.100. RU 2133999 С1, 27.07.1999. Jun B.H. Direct measurement of flatbend voltage in MOS by infrared exception. //Applied Physics letters, v.21, 1972, №5,p.194-195. Zaininger K.H. et al. The Technique as an Analytical Tool. //Solid state Technology, v.13, 1973, №6, p.47-55. |
Имя заявителя: | Санкт-Петербургский государственный технический университет | Изобретатели: | Бородзюля В.Ф. | Патентообладатели: | Санкт-Петербургский государственный технический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе металл-диэлектрик-полупроводник (МДП)-структур. Способ заключается в том, что на МДП-структуру подают напряжение смещения Uсм и обедняющие импульсы напряжения U1 с амплитудой, равной 4nqN/C20, где n- диэлектрическая постоянная полупроводника, N - уровень легирования по
|