|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ SiC - Si |  |
Номер публикации патента: 2211505 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/3065 | | Аналоги изобретения: | Технологическая карта АООТ "НИИМЭ и з-д "МИКРОН". U6.60252.00009, 17.09.1994. Плазменная технология в производстве СБИС. Под ред. Н.Айнспрука и Д.Брауна. - М.: Мир, 1987, с.181. US 4820378 А, 11.04.1989. DE 3603725 А1, 13.08.1987. JP 4293234 А, 16.10.1992. JP 6244149 А, 02.09.1994. ЕР 0504912 А, 23.09.1992. RU 96120357 А, 10.12.1998. US 6027959 А, 22.02.2000. |
| Имя заявителя: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | | Изобретатели: | Алексеев Н.В.
Еременко А.Н.
Колобова Л.А.
Клычников М.И.
Ячменев В.В. | | Патентообладатели: | Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике при изготовлении интегральных схем на этапе плазменного травления пассивирующих покрытий. Техническим результатом изобретения является устранение образования фторуглеродной пленки, что приводит к повышению качества изделий. Сущность изобретения заключается в проведении процесса плазменного травления двухслойного пассивирующего покрытия SiC-Si3N4 в газовой смеси CF4-О2-Ar с соотношением компонентов в объемных частях (20-40) : 1 : 40-60), с подачей ВЧ мощности на э
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента