|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НАНООСТРОВКОВ ГЕРМАНИЯ НА ВИЦИНАЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2210836 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/203 | | Аналоги изобретения: | ПЧЕЛЯКОВ О.П. и др. Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образования и электрические свойства. - ФТП, 2000, т. 34, вып. 11, с.1281-1299. BOCTOKOB Н.В. и др. Упругие напряжения и состав самоорганизующихся наноостровков GeSi на Si(001). - ФТП, 2000, т. 34, вып. 1, с.8-12. ЕР 1178522 А1, 06.02.2002. US 5714765 А, 03.02.1998. US 6103600 А, 15.08.2000. |
| Имя заявителя: | Рязанская государственная радиотехническая академия | | Изобретатели: | Закурдаев И.В.
Садофьев С.Ю. | | Патентообладатели: | Рязанская государственная радиотехническая академия |
Реферат | |
Использование: в области наноэлектроники для создания на основе структур с наноостровками (квантовыми точками) германия на кремнии полупроводниковых приборов со сверхвысоким быстродействием, а также некоторых оптоэлектронных устройств. Сущность изобретения: способ формирования наноостровков германия на вицинальной поверхности кремния заключается в том, что отжиг вицинальной поверхности кремниевой подложки на стадии предэпитаксиальной подготовки и в процессе напыления германия производится пропуск
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента