|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С НИЗКОЙ ПЛОТНОСТЬЮ ДЕФЕКТОВ |  |
Номер публикации патента: 2210141 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/263 | | Аналоги изобретения: | Sakai Sh. et al. Dislocation reduction in the annealed undercut GaAs on Si. J. Appl. Phys. Lett., 1992, 60, №12, p. 1480-1482. US 5068695 А, 26.11.1991. US 4863877 A, 05.09.1989. RU 2168236 С2, 27.05.2001. SU 1829760 A1, 27.03.1996. |
| Имя заявителя: | Кабардино-Балкарский государственный университет | | Изобретатели: | Мустафаев А.Г.
Тешев Р.Ш.
Мустафаев А.Г. | | Патентообладатели: | Кабардино-Балкарский государственный университет |
Реферат | |
Использование: в области технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения: уменьшение плотности дефектов в полупроводниковых приборах, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов, технологичность способа. Сущность изобретения: при формировании полупроводниковых приборов, на любой стадии изготовления, их подвергают обработке высокоэнергетичными магнитными полями в объеме пирамиды, в течение не менее 3 ч с последующим
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента