|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ |  |
Номер публикации патента: 2198451 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/76 | | Аналоги изобретения: | А.АUBERTON-HERVE et al. Low dose SIMOX for ULSI applications. Physical and technikal Problems SOI Structurs and Devices. Kluwer Acad. Publ. 1995, р.3-14. RU 2108638 С1, 10.04.1998. SU 1222149 А1, 30.12.1994. SU 1111634 А1, 10.04.1996. ЕР 0562127 А1, 29.09.1993. JP 59016342 А, 27.01.1984. |
| Имя заявителя: | ТАКЕШИ Саито (JP),Мурашев Виктор Николаевич (RU) | | Изобретатели: | ТАКЕШИ Саито (JP)
Мурашев В.Н. (RU)
Ладыгин Е.А. (RU)
Мордкович В.Н. (RU)
Горнев Е.С. (RU)
Красников Г.Я. (RU) | | Патентообладатели: | ТАКЕШИ Саито (JP)
Мурашев Виктор Николаевич (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к области технологии кремниевых интегральных схем с субмикронными размерами. Скрытый диэлектрический слой донной части диэлектрической изоляции формируют путем термического окисления кремния с предварительным созданием слоя с радиационными дефектами в кремнии. Для этого используется метод имплантации ускоренных ионов элементов, не создающих в кремнии легирующих доноров или акцепторов с энергией 50-200 кэВ и дозой 11016-11017 см-2 при температурах 500-850oС.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента