|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ |  |
Номер публикации патента: 2197768 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/76 | | Аналоги изобретения: | US 4978379 А, 18.12.1990. RU 2022405 C1, 30.10.1994. RU 2022404 C1, 30.10.1994. RU 2035805 C1, 20.05.1995. US 5387555 A, 07.02.1995. US 4393573 А, 19.07.1983. |
| Имя заявителя: | Громов Владимир Иванович (RU),Дунин-Барковский Андрей Ромуальдович (RU),Огнев Вячеслав Васильевич (RU),ШАФИР Самсон Владимир (US) | | Изобретатели: | Громов В.И. (RU)
Дунин-Барковский А.Р. (RU)
Огнев В.В. (RU) | | Патентообладатели: | Громов Владимир Иванович (RU)
Дунин-Барковский Андрей Ромуальдович (RU)
Огнев Вячеслав Васильевич (RU)
ШАФИР Самсон Владимир (US) |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам получения полупроводниковых структур с диэлектрической изоляцией. Способ позволяет улучшить геометрические параметры полупроводниковых структур, которые заключаются в снижении прогиба и повышении плоскопараллельности, что снимает ограничения по диаметру изготавливаемых структур вплоть до диаметра 300 мм, а также повышает экологичность технологического процесса.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента