|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ МАСКИ |  |
Номер публикации патента: 2195047 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/312 | | Аналоги изобретения: | RU 2096393 C1, 20.11.1997. US 4289573 A, 15.09.1981. US 4208211 A, 17.06.1980. Пресс Ф.П. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов. - М.: Энергия, 1968, с.54. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Латышева Н.Д.
Скупов В.Д.
Смолин В.К. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в литографических процессах при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и печатных плат. Сущность изобретения: в способе формирования фоторезистивной маски, включающем нанесение на подложку слоя позитивного фоторезиста на основе нафтохинондиазида, его сушку, экспонирование, проявление, обработку в неорганической жидкости и задубливание, в качестве неорганической жидкости используют жидкий азот, а задубливание
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента