|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С КОНДЕНСАТОРАМИ, ОБРАЗОВАННЫМИ НАД И ПОД ТРАНЗИСТОРОМ ЯЧЕЙКИ ПАМЯТИ (ВАРИАНТЫ), И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2194338 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L027/108 H01L021/8242 | | Аналоги изобретения: | JP 02106958 A, 19.04.1990. JP 63239969 A, 05.10.1988. US 5055898 A, 08.10.1991. DE 4224946 A1, 04.03.1993. Toshiyuki Nishihara et al. A Buried Capacitor DRAM Cell with Bonded SOI for 256 M and 16 bit DRAMs. IDEM, 1992, pp. 803-806. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. - М.: Радио и связь, 1987, с. 390 и 391. |
| Имя заявителя: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR) | | Изобретатели: | ЛИ Джоо Янг (KR) | | Патентообладатели: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО.
ЛТД. (KR) |
Реферат | |
Использование: динамические оперативные запоминающие устройства. Сущность изобретения: полупроводниковое запоминающее устройство с конденсаторами, образованными над и под транзистором ячейки памяти, содержит первый и второй транзисторы, образованные на первом уровне; первый электрод хранения, соединенный с первым транзистором и выполненный под первым уровнем, и второй электрод хранения, соединенный со вторым транзистором и выполненный над первым уровнем.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента