

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ"

Номер публикации патента: 2193256

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2000128240/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	7
Основные коды МПК:	H01L021/322
Аналоги изобретения:	RU 2139595 С1, 10.10.1999. УЭБЕР С. Эффективные методы изготовления СБИС повышенной радиационной стойкости. - Электроника. 1987, т.60, № 24, с. 48-52. RU 2137252 С1, 10.09.1999. JP 1226168 А, 08.09.1989.

Имя заявителя:	Научно-исследовательский институт измерительных систем
Изобретатели:	Скупов В.Д. Смолин В.К.
Патентообладатели:	Научно-исследовательский институт измерительных систем

Реферат

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано для создания структур "кремний на изоляторе", предназначенных для изготовления дискретных приборов и интегральных схем, стойких к действию дестабилизирующих факторов. Технический результат: повышение качества приборных слоев структур "кремний на изоляторе" за счет снижения их дефектности.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"