|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МИКРОЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА НА ОСНОВЕ "КРЕМНИЙ - ДИЭЛЕКТРИК" ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2193255 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/18 | | Аналоги изобретения: | US 6150274 A1, 21.11.2000. RU 2137250 C1, 10.09.1999. RU 2009576 С1, 15.03.1994. US 5950101 А, 07.09.1999. US 5976979 А, 02.11.1999. JP 2000143831 А, 26.05.2000. JP 2056274 А, 26.02.1990. |
| Имя заявителя: | Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет,Центр технологий микроэлектроники | | Изобретатели: | Лучинин В.В.
Козодаев Д.А.
Голоудина С.И.
Пасюта В.М.
Корляков А.В.
Закржевский В.И.
Кудрявцев В.В.
Склизкова В.П. | | Патентообладатели: | Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
Центр технологий микроэлектроники |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении микроактюаторов, микрофонов, полевых транзисторов, электретных элементов и др. Технический результат изобретения - обеспечение высокой надежности и электрической стабильности целевого изделия, а также упрощение технологии его изготовления.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента