|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ РЕАКТИВНОГО ИОННОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОЛИКРЕМНИЯ ДО SiO |  |
Номер публикации патента: 2192690 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/306 H01L021/3065 | | Аналоги изобретения: | R.W. Light et al., "Profile Control of Polysilicon Lines with SF |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "НИИмолекулярной электроники и завод "Микрон" | | Изобретатели: | Красников Г.Я.
Ячменев В.В.
Алексеев Н.В.
Клычников М.И.
Колобова Л.А. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "НИИмолекулярной электроники и завод "Микрон" |
Реферат | |
Использование: технология изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных или МОП транзисторах. Сущность изобретения: процесс реактивного ионного травления поликремния в плазме гексафторида серы (SF6) и кислорода при содержании кислорода в газовой смеси 25-35 об.% в два этапа при разных уровнях мощности (1,2-1,4 Вт/см2 и 0,5-0,7 Вт/см2) с использованием датчика окончания процесса до SiO2 и монокремния без существенного их подтравливания.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента