|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2191848 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | C23C016/40 C23C016/24 H01L021/365 | | Аналоги изобретения: | US 3934060, 20.01.1976. RU 2119692 С1, 27.09.1998. RU 2040072 C1, 20.07.1995. RU 2040073 С1, 20.07.1995. US 3755890, 04.09.1973. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | | Изобретатели: | Красников Г.Я.
Манжа Н.М.
Нечипоренко А.П.
Бурзин С.Б. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" |
Реферат | |
Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегральных микросхем. Предлагаемый способ получения диоксида кремния включает формирование последнего при пониженном давлении с добавками хлорсодержащего вещества, улучшающего электрофизические параметры диоксида кремния.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента