|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА С ПЕРИОДИЧЕСКИ ЛЕГИРОВАННЫМ КАНАЛОМ |  |
Номер публикации патента: 2191444 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/335 | | Аналоги изобретения: | US 62747007 A, 14.08.2001. Гергель В.А., Мокеров В.Г. Доклады Академии Наук, 2000, т. 375, № 5, с. 609-610. US 6078082 A, 20.06.2000. WO 99/17346 A1, 08.04.1999. |
| Имя заявителя: | Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок" | | Изобретатели: | Смирнов В.К.
Кибалов Д.С.
Гергель В.А. | | Патентообладатели: | Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок" |
Реферат | |
Использование: для изготовления полевых транзисторов со структурой металл-окисел-полупроводник. Сущность изобретения: способ изготовления полевого транзистора с периодически легированным каналом заключается в том, что перед формированием затвора полевого транзистора для увеличения крутизны в N раз и увеличения рабочей частоты в 2N раз кремниевого n-канального полевого транзистора выбирают длину волны волнообразной периодической наноструктуры в N2/2 раз меньшую длины канала формируемого транзистор
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента