|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА, ИМЕЮЩЕГО САМОВЫРАВНЕННЫЙ КОНТАКТ |  |
Номер публикации патента: 2190897 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/8242 | | Аналоги изобретения: | US 5550071 А, 27.08.1996. US 5312769 А, 17.05.1994. Технология СБИС. /Под ред. С.Зи. - М.: Мир, 1986, т.2, с.223-230. |
| Имя заявителя: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR) | | Изобретатели: | БАН Хио-донг (KR)
ЧОЕ Хюн-чеол (KR)
ЧОЙ Чанг-сик (KR) | | Патентообладатели: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО.
ЛТД. (KR) |
Реферат | |
Использование: в технологии изготовления полупроводниковых запоминающих устройств. Сущность изобретения: предложен способ изготовления полупроводникового запоминающего устройства, в котором разрядная шина и электрод хранения конденсатора соединяются с активной зоной полупроводниковой подложки соответственно через контактную площадку, образованную самовыравнивающим образом.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента