|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОГО ДМОП - ТРАНЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 2189089 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/335 | | Аналоги изобретения: | EP 0481153 A1, 22.04.1992. US 4970173 A, 13.11.1990. US 4767722 A, 30.08.1988. EP 0244366 A2, 04.11.1987. RU 2091908 C1, 27.09.1997. |
| Имя заявителя: | Государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | | Изобретатели: | Бачурин В.В.
Пекарчук Т.Н. | | Патентообладатели: | Государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" |
Реферат | |
Использование: в электронной полупроводниковой технике, в методах создания мощных кремниевых ДМОП-транзисторов с вертикальной структурой. Сущность изобретения: способ отличается наличием новой совокупности и последовательности технологических операций: наращивание дополнительного слоя нитрида кремния на поликремний в защитном покрытии, формирование слоя термической двуокиси кремния в защитном покрытии определенной толщины, локальное выращивание дополнительного слоя термической двуокиси кремния оп
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента