|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО СЛОЯ ПОЛУПРОВОДНИКА III - НИТРИДА НА ЧУЖЕРОДНОЙ ПОДЛОЖКЕ |  |
Номер публикации патента: 2187172 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/20 H01L021/36 C30B025/02 | | Аналоги изобретения: | R.S. Qhalid Fareed et al. Vertically faceted lateral overgrowth of GaN on SiC with conducting buffer layers using pulsed metalorganic chemical vapor deposition. Appl. Phys. Lett. v. 77, p.p2343-2345 (2000). SU 1136501, 20.11.1996. RU 2097452 С1, 27.11.1997. RU 2132890 С1, 10.07.1999. WO 86/03231, 05.06.1986. WO 91/09995, 11.07.1991. |
| Имя заявителя: | Фонд поддержки науки и образования | | Изобретатели: | Бессолов В.Н.
Кукушкин С.А.
Лукьянов А.В.
Осипов А.В. | | Патентообладатели: | Фонд поддержки науки и образования |
Реферат | |
Использование: при изготовлении полупроводниковых приборов, а именно в способах получения слоя полупроводника III-нитрида (GaN, AlN, InN) на чужеродной подложке путем газофазной эпитаксии с использованием металлоорганических соединений (МОС). Применение: при создании полупроводниковых лазеров, светодиодов, ультрафиолетовых фотоприемников, высокотемпературных диодов, транзисторов.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента