|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА КМОП - ТРАНЗИСТОРАХ |  |
Номер публикации патента: 2185686 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/8238 | | Аналоги изобретения: | JP 6038482 В4, 20.02.1985. JP 63217655 A, 09.09.1988. RU 2051443 C1, 27.12.1995. RU 2046454 С1, 20.10.1995. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" | | Изобретатели: | Манжа Н.М.
Клычников М.И.
Кравченко Д.Г.
Кечкова Е.А. | | Патентообладатели: | Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, а именно технология изготовления КМОП-интегральных схем. Сущность изобретения: комбинированный процесс формирования разделительного и изолирующего диоксида кремния, включающий термическую очистку поверхности пластин в трихлорэтилене и кислороде и модификацию осажденного диоксида кремния из тетраэтоксисилана (ТЭОС) при пониженном давлении, термическим отжигом в трихлорэтилене и кислороде, улучшает и стабилизирует электрофизические свойства диоксида кремния.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента