На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИХ ИЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТРЕХМЕРНЫХ СТРУКТУР И СПОСОБЫ УНИЧТОЖЕНИЯ ЭТИХ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2183882 |  |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01L021/26 | Аналоги изобретения: | US 5677041 А, 14.10.1997. US 5043251 А, 27.08.1991. ЕР 0478368 А1, 01.04.1992. RU 2107973 С1, 27.03.1998. SU 1826815 А1, 27.03.1995. SU 1795821 А1, 10.10.1995. |
Имя заявителя: | ТИН ФИЛМ ЭЛЕКТРОНИКС АСА (NO) | Изобретатели: | НОРДАЛЬ Пер-Эрик (NO) ЛЕЙСТАД Гейрр И. (NO) ГУДЕСЕН Ханс Гуде (BE) | Патентообладатели: | ТИН ФИЛМ ЭЛЕКТРОНИКС АСА (NO) | Номер конвенционной заявки: | 19980385 | Страна приоритета: | NO | Патентный поверенный: | Егорова Галина Борисовна |
Реферат |  |
Использование: технология микроэлектронных приборов. Технический результат заключается в создании дешевого гибкого крупномасштабного производства электрических соединений в тонкопленочных структурах. Сущность: в матрице, содержащей два или более материалов в пространственно отдельных структурах материалов, каждая структура материала облучается излучением с заданной интенсивностью и/или частотной характеристикой, адаптированным к реакции материала на излучение, причем излучение пространственно модулируется согласно определенному протоколу, который представляет заранее определенную конфигурацию электропроводящих или полупроводниковых структур в конкретной структуре материала, и в ответ на облучение в структуре материала создаются двумерные электропроводящие или полупроводниковые структуры с предварительно определенной конфигурацией, посредством чего формируется матрица, состоящая из структур материалов с электропроводящими или полупроводниковыми трехмерными структурами. Также предложены способы уничтожения электропроводящих или полупроводниковых структур приведенного выше типа. 5 с. и 32 з.п.ф-лы, 14 ил.
|