|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА |  |
Номер публикации патента: 2176423 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/8242 | | Аналоги изобретения: | J.Y. Yoon et al. A New Capacitor on Metal (COM) Cell for Beyond 256 M bit DRAM. 1994, Symposium on VLSI Technology Digest of Technology Papers, 1994, рр.135-136. US 5478768 А, 26.12.1995. US 5447878 А, 05.09.1995. WO 96/22612 А, 25.07.1996. RU 2029995 С1, 27.02.1995. |
| Имя заявителя: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR) | | Изобретатели: | ЛИ Джо-Янг (KR)
КИМ Ки-Нам (KR) | | Патентообладатели: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО.
ЛТД. (KR) |
Реферат | |
Использование: для изготовления полупроводникового запоминающего устройства, имеющего структуру типа "конденсатор на металле". Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового устройства, имеющего структуру типа "конденсатор на металле", накопительный контакт в области матрицы ячеек и металлический контакт для локального межсоединения в области периферийной схемы формируют одновременно.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента