|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ГЕТТЕРИРУЮЩЕЙ ОБРАБОТКИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2176422 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/322 | | Аналоги изобретения: | ПАВЛОВ П.В. Влияние обработки ионами средних энергий на внутренние механические напряжения в эпитаксиальных структурах. - Электронная техника, сер.7, ТОПО, 1980, с. 24-26. US 4681983 A, 21.07.1987. EP 0405422 A1, 01.02.1991. RU 2025824 C1, 30.12.1990. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Киселев В.К.
Оболенский С.В.
Скупов В.Д. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: в технологии изготовления дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Техническим результатом способа является повышение эффективности геттерирующей обработки за счет снижения концентрации остаточной дефектности. Сущность: в способе геттерирующей обработки, включающем аморфизацию полупроводниковых структур с нерабочей стороны подложки облучением ионами средних энергий, перед аморфизацией нерабочую сторону структур облучают протонами с энергией, равной энергии ионов п
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента