|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА |  |
Номер публикации патента: 2173913 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/58 | | Аналоги изобретения: | МАЗЕЛЬ Е.З., ПРЕСС Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов. - М.: Энергия, 1974, с.318-321. SU 1674293 A1, 30.08.1991. EP 0142692 A1, 29.05.1985. WO 82/02457 A1, 22.07.1982. |
| Имя заявителя: | Дагестанский государственный технический университет | | Изобретатели: | Шахмаева А.Р.
Исмаилов Т.А.
Саркаров Т.Э.
Гаджиев Х.М. | | Патентообладатели: | Дагестанский государственный технический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Техническим результатом изобретения является повышение надежности контакта кристалла с кристаллодержателем и стабильности процесса присоединения. Сущность способа: на обратную сторону кремниевой пластины наносят последовательно в едином технологическом цикле четыре металла хром-никель-олово-серебро. Разделяют пластину на кристаллы и производят пайку кристаллов к кристаллодержателю при 300-320°С в течение 2-5 с. Данное сочетание напыляемых слоев обеспечивает получение надежного контакта кристалла с кристаллодержателем, 100%-ное распределение припоя по поверхности кристалла, отсутствие пор в припое, улучшение выходных характеристик прибора.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента