|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК |  |
Номер публикации патента: 2172537 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/322 | | Аналоги изобретения: | RU 2120682 С1, 20.10.1998. RU 2098887 C1, 10.12.1997. RU 2137253 C1, 10.09.1999. ЛАБУНОВ В.А. и др. Пористый кремний в полупроводниковой электронике. - ЗЭТ, 1978, № 15, с.3-48. WO 99/26291 A2, 27.05.1999. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского | | Изобретатели: | Левшунова В.Л.
Перевощиков В.А.
Скупов В.Д.
Чигиринский Ю.И. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского |
Реферат | |
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть использовано для изготовления пластин-подложек из монокристаллического кремния, предназначенных для создания дискретных приборов и интегральных микросхем. Техническим результатом заявляемого способа является повышение структурного совершенства кремниевых подложек за счет увеличения эффективности геттерирования и снижения в них концентрации ростовых и технологических микродефектов. В способе обработки кремниевых подложек, включающем электрохимическое формирование слоя пористого кремния, облучение его ионами и последующее удаление этого слоя, перед ионным облучением подложки упруго деформируют изгибом так, чтобы их рабочая сторона была вогнутой, а последующее ионное облучение и удаление пористого кремния осуществляют одновременно путем ионно-плазменного травления. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента