|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ |  |
Номер публикации патента: 2169961 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | RU 95111200 A1, 20.06.1997. US 3723873 A, 27.03.1973. RU 2032963 C1, 10.04.1995. Коршунов Ф.П. и др. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. - Минск; Наука и техника, 1978, с.75-120 Заитов Ф.А. и др. Радиационная стойкость в оптоэлектронике, - М.: Воениздат, 1987, с.20-28. |
| Имя заявителя: | Вовк Оксана Валерьевна | | Изобретатели: | Вовк О.В. | | Патентообладатели: | Вовк Оксана Валерьевна |
Реферат | |
Изобретение относится к способам испытаний полупроводниковых приборов, в частности фотодиодов, применяемых в системах управления и ориентации, на стойкость к воздействию дестабилизирующих факторов внешней среды. Способ испытаний включает облучение приборов, измерение параметров приборов до и после воздействия.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента