Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПЕКТРАЛЬНО - КОРРЕЛЯЦИОННЫЙ СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ СЛОЕВЫХ ПЛАНАРНЫХ СТРУКТУР

Номер публикации патента: 2168238

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2000126338/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/66    
Аналоги изобретения: D.LEONARD et al. Critical layer thickness for self-assemdled InAs islands on GaAs. PHYSICAL REVIEW. V. 50, № 16,15 october 1994-II, p.11687-11692. ДМИТРИЕВА Н.Е. и др. Исследование некоторых оптических свойств твердых растворов системы InAs-GaAs. Научные труды. Научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности. 1973, 46, с. 74-77. ГЕОРГОБИАНИ А.Н. и др. Исследование фундаментальных переходов в широкозонных полупроводниках методами модуляционной спектроскопии. Труды Физического института АН СССР. 1985, 163, с. 3-38. RU 1 783 933 A1, 28.02.1994. 

Имя заявителя: Хабаров Юрий Васильевич 
Изобретатели: Хабаров Ю.В. 
Патентообладатели: Хабаров Юрий Васильевич 

Реферат


Использование: в технике экспериментальных исследований планарных слоевых структур, например полупроводниковых эпитаксиальных структур, для исследования широкого класса явлений в физике твердого тела и физики полупроводников. Сущность изобретения: способ заключается в формировании экспериментальных образцов, содержащих скоррелированные планарно неоднородные слои в составе исследуемой слоевой структуры и вспомогательные планарно неоднородные слои, несущие информацию о характере сформированной планарной неоднородности, исследовании локальных фрагментов планарно неоднородной структуры с помощью спектроскопического метода с выявлением спектральных параметров исследуемых и вспомогательных слоев и анализа корреляционной связи спектральных параметров исследуемых и вспомогательных слоев. Способ применим к различным физическим задачам и позволяет получать квазинепрерывные зависимости с малым шагом вариации исходных параметров, большой объем информации для статического анализа с каждого экспериментального образца. Техническим результатом изобретения является обеспечение широких функциональных возможностей и высокой информативности способа исследования при минимизации количества экспериментальных образцов. 1 з.п.ф-лы.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"