|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИТРИДНОЙ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ А |  |
Номер публикации патента: 2168237 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/318 | | Аналоги изобретения: | АНТИПОВ В.Г. и др. Молекулярно-пучковая эпитаксия кубического CaN на подложках GaAs (001) с использованием гидразина. ФТП, т.29, вып. 10, с.1812 - 1821. RU 2012092 C1, 30.04.1994. RU 2008745 C1, 28.02.1994. EP 0351505 A2, 24.01.1990. EP 0180268 A1, 07.05.1986. US 4645683 A, 24.02.1987. |
| Имя заявителя: | Берковиц Владимир Леонидович,Львова Татьяна Викторовна,Улин Владимир Петрович | | Изобретатели: | Берковиц В.Л.
Львова Т.В.
Улин В.П. | | Патентообладатели: | Берковиц Владимир Леонидович
Львова Татьяна Викторовна
Улин Владимир Петрович |
Реферат | |
Использование: в технологии полупроводников для пассивации поверхности полупроводников и приборов на их основе, а также для подготовки поверхности для последующего эпитаксиального выращивания GaN. Сущность изобретения: способ включает удаление окислов с поверхности полупроводника и последующую нитридизацию ее в среде, содержащей гидразин N2H4.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента