|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ УСТРАНЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ НАРУШЕНИЙ В СТРУКТУРАХ КРЕМНИЙ - НА - ИЗОЛЯТОРЕ |  |
Номер публикации патента: 2166814 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/324 | | Аналоги изобретения: | S. Nakashima, Kizumi J., Mater. Res. 1993, №8, p.523. S. Krause et al. MRS Bulletin., 1998, №12, p. 25-29. RU 2124784 C1, 10.01.1999. RU 2034365 C1, 30.04.1995. СКУПОВ В.Д. и др. Импульсная обработка давлением структур кремния. Электронная техника. Сер.7. Вып. 1, 1988, с.34-38. |
| Имя заявителя: | Институт физики полупроводников СО РАН (RU) | | Изобретатели: | Антонова И.В. (RU)
Попов В.П. (RU)
Мисюк Андрей (PL)
Ратайчак Яцек (PL) | | Патентообладатели: | Институт физики полупроводников СО РАН (RU) |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковой технологии для создания современных материалов микроэлектроники, в частности структур кремний-на-изоляторе. Сущность изобретения: в способе устранения структурных нарушений в структурах кремний-на-изоляторе, включающем имплантацию ионов кислорода и последующий отжиг, отжиг проводят в атмосфере инертного газа при повышенном гидростатическом давлении 0,6 - 1,5 ГПа, при температуре 1100 - 1200°С, продолжительностью 2 - 10 ч. Техническим результатом изобретения является отсутствие структурных нарушений на границе раздела Si/SiO2 при температурах отжига существенно более низких, чем те, что обычно используют для устранения дефектов в процессе создания КНИ-структур. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента