|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОУРОВНЕВОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ |  |
Номер публикации патента: 2165114 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/768 | | Аналоги изобретения: | RU 1547611 A1, 20.01.1996. US 5607880 A, 04.03.1997. RU 2012090 C1, 30.04.1994. US 5514613 A, 07.05.1996. EP 0687005 A2, 13.12.1995. EP 0724292 A2, 31.07.1996. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт системных исследований РАН | | Изобретатели: | Гурович Б.А.
Бетелин В.Б.
Велихов Е.П.
Долгий Д.И.
Калинин А.В.
Киреев В.Ю.
Кулешова Е.А. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт системных исследований РАН |
Реферат | |
Использование: в технологии изготовления интегральных микросхем и наноструктур различного назначения. Сущность изобретения: способ формирования многоуровневой металлизации интегральных схем включает формирование в исходной пластине с активными областями проводящего рисунка межсоединений по каждому уровню, нанесение межслойных диэлектрических покрытий и формирование межслойных соединений, при этом все межслойные соединения формируют до нанесения межслойных диэлектрических покрытий и выполняют их в виде вертикальных проводов различной высоты, напыляемых на исходную пластину перед формированием проводящего рисунка первого и последующих слоев металлизации, при этом все потоки ионов металлов, направляемые к исходной пластине, подвергают пространственной модуляции с помощью шаблонов. Техническим результатом изобретения является упрощение технологического процесса. 8 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента