|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР |  |
Номер публикации патента: 2163410 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/324 | | Аналоги изобретения: | RU 2086039 C1, 27.07.1997. ВОЛЛЕ В.М. и др. К вопросу о проведении прямого сращивания кремния в условиях необеспыленной воздушной среды. - Письма в ЖЕФ, т.16, вып.17, с. 61 - 65. RU 2002340 C1, 30.10.1993. WO 9842010 A1, 24.09.1998. RU 2035805 C1, 20.05.1995. |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | | Изобретатели: | Аргунова Т.С.
Белякова Е.И.
Грехов И.В.
Костина Л.С.
Кудрявцева Т.В. | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН |
Реферат | |
Использование: технология изготовления полупроводниковых структур, изготовление кремниевых структур, содержащих р-слой кремния над и под границей раздела, при создании приборов сильноточной электроники и микроэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления кремниевых структур включает полировку поверхности пластин, создание на этой поверхности канавок глубиной не менее 0,3 мкм и расстоянием между границами 20 - 1000 мкм, гидрофилизацию пластин, обработку их в растворе плавиковой кислоты в деионизованной воде, соединение пластин полированными сторонами в водном растворе диффузантов элементов третьей группы с концентрацией 0,1 - 3,0%, сушку на воздухе при 100 - 130 град в течение не менее 4 ч при одновременном приложении давления не менее 3·10-3 Па, нагрев со скоростью не более 10 град/мин, начиная с 200 град до температуры не менее 1000 град, и выдержку при указанной температуре. Техническим результатом изобретения является обеспечение возможности улучшения электрофизических характеристик изготавливаемых кремниевых структур, содержащих р-слой, за счет равномерного сращивания пластин по всей площади без дефектов. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента