|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ КОНТРОЛЯ СТРУКТУРНОГО СОВЕРШЕНСТВА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН |  |
Номер публикации патента: 2156520 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | SU 671605 A, 23.09.1985. RU 2110116 C1, 27.04.1998. RU 2064713 C1, 27.07.1996. RU 2110115 C1, 27.04.1998. САНГВАЛ К. Травление кристаллов. - М.: Мир, 1990, с.492. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Киселев В.К.
Оболенский С.В.
Скупов В.Д. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, для контроля степени дефектности и структурного совершенства монокристаллических полупроводниковых пластин. Сущность изобретения: в способе контроля структурного совершенства монокристаллических полупроводниковых пластин, включающем механическое шлифование, полирование и химическое полирование поверхности контролируемой стороны пластин, измерение структурно-чувствительного параметра материала и облучение пластин легкими частицами с энергией 0,5-5 МэВ до изменения
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента