|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ |  |
Номер публикации патента: 2145156 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H05K003/06 H01L021/70 | | Аналоги изобретения: | RU 2072644 C1, 27.01.97. US 4403151 A, 06.09.83. US 4379833 A, 12.04.83. FR 2321817 A, 18.03.77. SU 309664 A, 10.12.73. SU 305832 A, 26.10.73. |
| Имя заявителя: | Нижегородский государственный технический университет | | Изобретатели: | Тригуб В.И.
Плотнов А.В.
Потатина Н.А.
Ободов А.В. | | Патентообладатели: | Нижегородский государственный технический университет
Тригуб Виктор Иванович
Плотнов Алексей Владимирович
Потатина Наталья Александровна
Ободов Александр Владимирович |
Реферат | |
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при формировании структур методом обратной литографии. В предложенном способе формирования структур микроэлектроники, включающем нанесение на подложку позитивного резиста, экспонирование рисунка, проявление, нанесение дополнительного слоя материала и удаление резиста, на подложку предварительно наносят пленку материала, экспонирование резиста осуществляют дозой электронов, в 2-3 раза меньшей чувствительности электронорезиста, а после проявления сформированные в резисте элементы облучают ультрафиолетовым светом с длиной волны от 200 до 300 нм, дозой от 1,5 до 3 кДж/см2 в атмосфере воздуха или кислорода, после удаления резиста на глубину облученного слоя проявлением осуществляют травление материала пленки, полностью удаляют электронорезист обратной литографией после нанесения дополнительного слоя. Технический результат от использования изобретения заключается в повышении чувствительности электронорезиста за счет дооблучения ультрафиолетовым излучением, позволяющей снизить время экспозиции электронами, а также устранении ухода размеров формируемых субмикронных элементов от заданных и устранении травления областей резиста, не модифицированных электронами, за счет использования селективности поглощения ультрафиолетового излучения. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента