|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЙСОДЕРЖАЩИХ МАТЕРИАЛОВ |  |
Номер публикации патента: 2141701 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/3065 | | Аналоги изобретения: | US 5320707 A, 14.06.94. FR 2486715 A1, 15.01.82. RU 2024991 C1, 15.12.94. Плазменная технология в производстве СБИС.// Под ред.Н.Айсбрука и Д.Брауна. - М.: Мир. 1987, с.171, 175. |
| Имя заявителя: | Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН | | Изобретатели: | Редькин С.В.
Аристов В.В. | | Патентообладатели: | Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН |
Реферат | |
Использование: при разработке технологии травления кремнийсодержащих слоев в производстве твердотельных микроэлектронных приборов. Сущность изобретения: способ плазмохимического травления кремнийсодержащих материалов включает травление через полимерную резистивную маску плазмообразующей смесью, содержащей гексафторид серы (SF6), четыреххлористый углерод (CCl4), ацетон (C3H6O2) и аргон (Ar) при следующем составе компонентов, об.%: CCl4 3-7, Ar 10-13, C3H6O2 12-16, SF6 - остальное. Техническим результатом изобретения является обеспечение гарантированного травления функциональных слоев различной толщины твердотельных микроэлектронных приборов через полимерные резистивные маски за счет повышения стойкости масок в процессе травления.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента