|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МОДУЛЯ |  |
Номер публикации патента: 2139598 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/70 | | Аналоги изобретения: | RU 2003207 C1, 15.11.93. US 4984731 A, 15.01.91. US 4972988 A, 27.11.90. EP 0361715 A1, 04.04.90. DE 3138718 A1, 22.04.82. SU 1674293 A1, 30.08.91. |
| Имя заявителя: | Найда Сергей Михайлович | | Изобретатели: | Пырченков В.Н.
Найда С.М. | | Патентообладатели: | Пырченков Владислав Николаевич
Найда Сергей Михайлович
Стрелков Николай Михайлович
Шаталов Валерий Владимирович |
Реферат | |
Использование: микроэлектроника, при изготовлении различных полупроводниковых микросхем. Сущность изобретения: способ включает погружение одного или нескольких полупроводниковых кристаллов, размещенных на носителе - вакуумном захвате, в расплав эвтектического состава, нанесенный на нагретую подложку, охлаждение кристаллизующегося монолита и формирование коммутации. При этом эвтектический состав расплавляют в среде инертного газа и перегревают до температуры, превышающей эвтектическую точку на 10-30°С, а полупроводниковые кристаллы нагревают до температуры на 10-20°С ниже эвтектической точки, над расплавом эвтектического состава перед погружением полупроводниковых кристаллов создают замкнутый объем посредством установки на носителе - вакуумном захвате или подложке дополнительной рамки, толщина которой составляет 1,2-1,5 толщины полупроводникового кристалла, и производят удаление инертного газа, а охлаждение кристаллизующегося монолита осуществляют с темпом 10-30°С/мин. Техническим результатом изобретения является повышение качества изготовления полупроводникового модуля. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента