|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУР "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ" |  |
Номер публикации патента: 2139595 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/322 | | Аналоги изобретения: | Уэбер С. Эффективные методы изготовления СБИС повышенной радиолокационной стойкости. - Электроника, 1987, т. 60, N 24, с. 48-52. Кравченко В.М., Будько М.С. Современное состояние КНД-технологии. - Зарубежная электронная техника, 1989, N 9 (340), с. 17-19. JP 1226168 A, 08.09.89. EP 0335741 A2, 04.10.89. US 5327007 A, 05.07.94. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Кормишина Ж.А.
Смолин В.К.
Щербакова И.А. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: в области производства полупроводниковых приборов, стойких к воздействию дестабилизирующих факторов. Сущность изобретения: способ включает термокомпрессионное соединение окисленных рабочей кремниевой пластины с пластиной-носителем и абразивно-химическое утонение рабочей пластины до заданной толщины приборного слоя. Перед термокомпрессионным соединением в рабочей пластине путем циклического отжига в инертной среде формируют внутренний геттер и геттерируют от примесей и дефектов приповерхностный слой пластины на глубину не менее толщины приборного слоя. Технический результат: повышение качества приборных слоев структур "кремний на изоляторе" за счет снижения их дефектности. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента