|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ГЕТТЕРИРУЮЩЕЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН |  |
Номер публикации патента: 2137253 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/322 | | Аналоги изобретения: | Верховский Е.И. Методы геттерирования примесей в кремнии. Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 1981, вып.8 (838) с. 30-45. EP 031984 A1, 14.06.89. EP 031985 A1, 14.06.89. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Скупов А.В. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: в области изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки исходных пластин-подложек. Технический результат: улучшение структурного совершенства полупроводниковых пластин за счет уменьшения в них концентрации дефектов. Сущность изобретения: облучают нерабочую сторону пластин ионами средних энергий и проводят отжиг пластин, причем перед облучением пластины упруго деформируют изгибом так, чтобы рабочая сторона стала выпуклой, и в деформированном состоянии обрабатывают в химически неактивной жидкости ультразвуком с частотой 20-40 кГц в течение 60-90 мин. 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента