|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ" |  |
Номер публикации патента: 2137252 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/322 | | Аналоги изобретения: | Уэбер С. Эффективные методы изготовления СБИС повышенной радиации стойкости. Электроника, 1987. т.60, № 24, с.45-52. JP 1225130 A, 08.09.89. RU 2071145 C1, 27.12.96 |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: в области производства полупроводниковых приборов. Технический результат: повышение качества приборных слоев структур "кремний на изоляторе" за счет снижения их дефектности. Сущность изобретения: производят термокомпрессионное соединение через слой диэлектрика рабочей пластины и пластины-носителя, производят облучение со стороны рабочей пластины ионами средних энергий дозами выше дозы аморфизации кремния, а затем производят абразивно-химическое утонение рабочей пластины до заданной толщины приборного слоя. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента