|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ГЕТТЕРИРУЮЩЕЙ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК КРЕМНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2134467 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/322 H01L021/265 | | Аналоги изобретения: | US 4053335 A, 1977. Лабунов В.А. и др. Современные методы геттерирования в технологии полупроводниковой электроники. - Зарубежная электронная техника, 1983, N 11. DD 232138 A1, 1986. US 4559086 A, 1985. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт измерительных систем | | Изобретатели: | Скупов В.Д.
Смолин В.К. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт измерительных систем |
Реферат | |
Использование: в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем. Технический результат: повышение эффективности геттерирующей обработки за счет снижения концентрации остаточных дефектов в кремниевых подложках. Сущность изобретения: способ включает осаждение на нерабочую сторону подложек кремния слоя поликристаллического кремния и термообработку, перед термообработкой поверхность поликристаллического кремния амортизируют облучением ионами с энергией, при которой глубина проникновения ионов не превышает толщину слоя поликристаллического кремния. 1 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента