|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ ПЛОСКИХ ЗОН ПОЛУПРОВОДНИКА В МДП - СТРУКТУРАХ |  |
Номер публикации патента: 2133999 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | Бородзюля В.Ф, Голубев В.В. Методы электрического тестирования заряда в диэлектрике и на поверхностных состояниях в МДП-структурах./Тезисы докладов Российской научно-технической конференции по физике диэлектриков с международным участием. "Диэлектрики - 93". - Санкт-Петербург, 22-24 июня 1993, часть 2, с.100. Yun B.H. Direct measurement of flat - bend voltage in MOS by infrared exception. Applied Physics letter v.21(1972), N5, p.194-195. Zaininger K.H., Heiman F.P. The Technique as an Analytical Tool. Solid state Technology v.13(1973), N6, p.47-55. Технология СБИС/Под ред. С. Зи, кн.2. - М.: Мир, 1986, с.102-103. |
| Имя заявителя: | Санкт-Петербургский государственный технический университет | | Изобретатели: | Бородзюля В.Ф. | | Патентообладатели: | Санкт-Петербургский государственный технический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к измерению и контролю электрофизических параметров полупроводников и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур. Способ заключается в том, что на МДП-структуру подают напряжение смещения Uсм и обедняющие импульсы напряжения U1 и U2 ≥ 2U1, совмещают по времени импульсы U1 и U2 и из разности их амплитуд получают третий импульс U3, измеряют на них интегральные емкости C1, C2 и C3 соответственно, а напряжение плоских зон МДП-структур определяют по Uсм при выполнении условия: 1/С1 + 1/C2 = 1/С3. Технический результат, обеспечиваемый изобретением, - получение возможности просто при непосредственной регистрации Uсм = UFB, без сложных расчетов определять UFB с высокой точностью (до 1,0%) в широком диапазоне концентраций легирующей примеси в полупроводнике (N ~ 1011 - 1018 см-3), толщин диэлектрика МДП-структуры (d ~ 0,01 - 1 мкм), плотности поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик - полупроводник (N ~ 1011 эВ-1 см-2). Способ может быть выполнен на стандартной радиоизмерительной аппаратуре. Измерение емкости области пространственного заряда полупроводника в режиме плоских зон дает возможность по известному соотношению определить уровень легирования полупроводника. 2 ил., 2 табл.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента