|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЯ - НА - ИЗОЛЯТОРЕ МЕТОДОМ ЗОННОЙ ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2133520 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01L021/26 H01L021/268 | | Аналоги изобретения: | Kamgar A., Labate E., Recrystallization of Polysilicon Films Using Incoherent Light. Mater. Letters. V.1, № 3, 4, 1982, p.91-94. JP 1-16006 B4, 22.03.89. Aiz ki NaO-Aki Pecrystallization of silicon film on insulating layers a laser leam split by a birefringeut plate, "Appl. Phus Left," 1984, 44, № 7, p.686-688. Shappir J, Adar R. Polycrystalline silicon recrystallization by combined CW laser and furnace heating "J. Electrochem. Sol", 1984, 131, № 4, p.902-905. SU 1570550 A1, 07.03.93. |
| Имя заявителя: | Товарищество с ограниченной ответственностью - Научный центр "Эпитаксия" | | Изобретатели: | Лиманов А.Б.
Гиваргизов Е.И. | | Патентообладатели: | Товарищество с ограниченной ответственностью - Научный центр "Эпитаксия" |
Реферат | |
Использование: в технологии выращивания кристаллических планок полупроводников. Сущность: способ получения структур кремния-на-изоляторе заключается в формировании пленочной структуры с подложкой, слоями диэлектрика и пленкой кремния, которые формируют с одной или с двух сторон подложки, в однородном нагреве с одной стороны пленочной структуры выше 1320oC и ниже точки плавления кремния, нагреве с противоположной стороны пучком излучения, сфокусированным в узкую полосу так, чтобы полуширина распределения энергии поперек узкой полосы на уровне половины амплитуды распределения составляла менее 0,5 мм, формировании в пленке кремния зоны расплава и перемещении зоны. Устройство для осуществления способа содержит перемещающийся корпус, трубчатые лампы, установленные в корпусе, плиту, закрепленную над лампами и имеющую конусообразное отверстие, кварцевую пластину, прикрепленную к плите со стороны ламп, точечные опоры, закрепленные в плите вершинами в конусообразном отверстии, экран с отверстием, расположенный над плитой и выполненный из двух перемещающихся частей, и нагреватель зоны, прикрепленный над экраном. Технический результат изобретения заключается в том, что предлагаемый способ и устройство позволяют получать структуры кремния-на-изоляторе с низким уровнем деформации пленочной структуры при более высокой производительности. 2 с. и 20 з.п. ф-лы, 14 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента